›› 2007, Vol. 29 ›› Issue (1): 1-8.

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与CMOS相容的嵌入式NVM技术

步建康  Courtney Parker  William Belcher   

  1. 美国国家半导体公司
  • 出版日期:2007-02-25 发布日期:2013-09-09

  • Online:2007-02-25 Published:2013-09-09

摘要:

嵌入式NVM增强片上系统的功能和灵活性。对只需有限密度有限性能的嵌入式NVM的应用。传统的浮栅/s0NOS NVM成本昂贵。与CMOS相容的嵌入式NVM技术是当前工业界的成功解决方案,并在诸如模拟技术微调应用中的位元级一直到数据或代码储存的千位元等级取得越来越广泛的应用。本文描述了与CMOS相容的嵌入式NVM技术的基本原理及特性,并简要介绍了工业界几种具代表性的与CMOS相容的嵌入式NVM技术。本文重点分析了我们在技术研发中遇到的独特的挑战及其解决方案。实验结果证明我们的方案有效地解决了面临的问题。

关键词: CMOS相容, NVM, 氧氮化硅陷阱辅助隧道效应(TAT), 漏极雪崩热载流子(DAHC), 耐久力