摘要：
外场调控是实现高性能多功能量子器件的有效途径。本文综述单双层石墨烯、锗烯、二硫化钼等类石墨烯材料在强自旋轨道耦合、铁磁或反铁磁场、超导近邻效应等联合竞争作用下，通过调节电场、应变场以及偏振光场等产生的新奇拓扑量子效应，包括量子自旋Hall效应、量子反常Hall效应、拓扑超导效应等，并进一步深入介绍拓扑型场效应晶体管的开发和设计。根据目前拓扑性质研究和实验进展情况判断，易规模化生产的类石墨烯材料对未来高性能低功耗量子器件走向应用而言，是非常有前景的候选材料。
中图分类号:
翟学超 闻睿 顾骏伟. 类石墨烯材料中电子拓扑性质的研究进展[J]. , 2018, 40(4): 376-385.
