IGBT模块故障机理及其预报方法综述

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›› 2010, Vol. 32 ›› Issue (6): 741-745.

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IGBT模块故障机理及其预报方法综述

杜明星1,2 魏克新1,2

1.天津大学电气与自动化工程学院，天津 300072；2.天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室，天津 300191

出版日期:2010-12-25 发布日期:2011-12-07

Online:2010-12-25 Published:2011-12-07

摘要/Abstract

摘要： 以IGBT模块的内部结构和材料特性为基础，研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理；分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生机理；最后，分别给出了两大类故障的预报方法。

关键词: 绝缘栅极双极晶体管, 故障机理, 预报方法, 封装级, 器件级

杜明星;魏克新;. IGBT模块故障机理及其预报方法综述[J]. , 2010, 32(6): 741-745.

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