›› 2009, Vol. 31 ›› Issue (6): 1088-1090.

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基于0.18μmCMOS工艺的功率放大器设计

于海燕 吴明赞 李竹   

  1. 南京理工大学自动化学院,南京210094
  • 出版日期:2009-12-25 发布日期:2013-07-15

  • Online:2009-12-25 Published:2013-07-15

摘要:

本文在系统分析功率放大器的结构、设计原理、性能指标的基础上,根据功率放大器的应用背景,选择A类放大器进行设计。设计时综合多种因素,合理选用共源共栅结构和共源结构的三阶差分放大电路,进行增益和输出功率分配,然后应用ADS软件进行设计、优化和仿真。仿真结果表明,设计的功率放大器在其工作频率范围绝对稳定,实现了很好的输入输出匹配,具有较好的线性度和隔离度,最终的仿真结果满足802.11a标准。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺元件库,应用Cadence软件画出功率放大器电路的版图。

关键词: 功率放大, CMOS工艺, ADS仿真

中图分类号: