基于0.18μmCMOS工艺的混频器设计

›› 2009, Vol. 31 ›› Issue (5): 871-872, 854.

基于0.18μmCMOS工艺的混频器设计

杨吟国吴明赞李竹

南京理工大学自动化学院，南京210094

出版日期:2009-10-25 发布日期:2013-07-17

Online:2009-10-25 Published:2013-07-17

摘要/Abstract

摘要：

本文选择Gilbert单元结构混频器设计电路，并进行噪声分析，引入改进的电流注入结构。应用ADS软件对此电路进行设计、优化与仿真，仿真结果表明：设计的混频器各项性能指标均达到设计要求。将设计仿真完毕的Gilbert单元结构混频器电路，采用TSMC018μmCMOS工艺元件库，应用Cadence软件画出电路的版图。该工作对射频集成电路设计有一定的参考价值。

关键词: 混频器, CMOS工艺, 版图设计, ADS, 仿真

中图分类号:

TN405

杨吟国吴明赞李竹. 基于0.18μmCMOS工艺的混频器设计[J]. , 2009, 31(5): 871-872, 854.

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基于0.18μmCMOS工艺的混频器设计

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