›› 2018, Vol. 40 ›› Issue (4): 355-367.doi: 10.16507/j.issn.1006-6055.2018.08.002
林兴浩 尚学峰
摘要：
相比传统的硅基电力电子器件，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体制备的新型电力电子器件凭借其优异性能被认为是可替代硅基器件的重要选择。基于文献计量方法，本文通过分析新型电力电子器件领域在1990—2017年间发表的科技论文，发现该领域的发展态势主要表现以下特征：一是该领域的发文量至今保持稳定增长趋势，目前仍是全球科学家重点关注的研究方向；二是该领域的研究热点包括了关键材料生长制备的基础研究与核心器件创新应用两方面；三是全球国家/机构合作网络呈现出明显的区域合作特点，美日欧在该领域的科研实力处于领先地位，而中国大陆虽然研究规模不断变大，但整体质量与领先国家仍存在一定差距。针对国内外在该领域的发展态势，我国应不断加强核心技术攻关、强化高水平创新主体建设和形成多元化的研究合作机制，以此加快推动国内新型电力电子器件领域的发展。
中图分类号:
